【氮化镓】英诺赛科赴港IPO - 三年亏损近70亿元被起诉专利侵权 董事长骆薇薇为美国籍

　　中国网财经6月13日讯(记者刘小菲)全球第壹家实现量产8英寸硅基 氮化镓 晶圆的企业英诺赛科计划赴港上市。

　　近期，英诺赛科向港交所递交招股说明书。招股书提到，截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球最大的 氮化镓 功率半导体基地，产能达到每月1万片晶圆。

　　2021-2023年，英诺赛科的收入分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元人民币。根据弗若斯特沙利文资料，按收入计，英诺赛科2023年在全球所有 氮化镓 功率半导体公司中位列第壹。

　　收入持续增长的英诺赛科，目前仍未实现盈利。2021-2023年，英诺赛科亏损金额分别为34亿元、22.05亿元和11.02亿元人民币，合计67.07亿元；经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元和10.16亿元人民币，合计33.74亿元人民币。

　　对于连续亏损的原因，英诺赛科在招股书中提到了三个，分别是生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加。

　　2021-2023年，英诺赛科的销售及营销开支分别为2840万元、6930万元和9010万元；研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元和3.48亿元人民币。英诺赛科称，未来可能继续发生亏损，且无法保证最后会达到预期的收益能力。

　　英诺赛科在招股书中提到，截至2023年底，公司拥有397名研发人员。公司在全球有约700项专利和专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

　　不过，英诺赛科招股书显示，于往绩记录期间，公司面临两名竞争对手针对公司若干产品潜在 知识产权 侵权提出的三项诉讼。目前，这三项诉讼事项仍处于相对较早阶段，若判决不利，公司可能会被禁止上产或销售侵权产品、或责令支付金钱赔偿。

　　据相关媒体透露，2023年， 氮化镓 (GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院和美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，涵盖了EPC专有的增强型 氮化镓 (GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。

　　英诺赛科随后发布声明，称EPC对照英诺赛科从商业规模、业务范围到技术实力上都差距悬殊，其由个别员工工作变动而幻想出的技术剽窃清洁属臆想行为，没有事实依据。

　　今年3月，英飞凌在其官方网站发布消息称，为防止自己拥有的与 氮化镓 (GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了 氮化镓 (GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包含可实现英飞凌专有的 氮化镓 (GaN)器件可靠性和性能的创新。

　　招股书显示，业绩亏损的英诺赛科，其业务发展对融资颇为依赖。2017年7月建立的英诺赛科，于今年4月完成了E轮融资，融资金额为6.5亿元；A、B、C、D轮的融资金额分别为5500万元、15.02亿元、14.18亿元、26.09亿元人民币，合计融资金额超过60亿元人民币。

　　目前，英诺赛科的开创人、老总及执行董事骆薇薇，其直接持股比例为5.9%，间接持股比例为23.1%；其余三名执行董事则分别为Jay Hyung Son、吴金刚和钟山，年龄均在50岁以上。值得强调的是，骆薇薇与Jay Hyung Son均是美国籍。