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【台积电】芯片突传重磅!台积电和英伟达两大巨头传来新消息

查看信息来源】   发布日期:12-5 19:33:36    文章分类:商业洞察   
专题:台积电】 【亚利桑那】 【英伟达】 【Blackwell

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  12月5日,有报道称,台积电正与英伟达洽谈,在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产Blackwell 人工智能 芯片。英伟达于今年3月推出了Blackwell系列芯片,客户对这款芯片的切实需求很高,目前已经僧多粥少。据了解,台积电已在为其美国新工厂明年初投入生产该芯片做准备。

  芯片领域的另外几则消息,也引发市场关注。日前有传言称,SK海力士将采用台积电3nm制程生产第六代高频宽內存HBM4。另外,还有消息称,马斯克的xAI已订购10.8亿美元的英伟达GB200 AI服务器,并获得优先交付权。另外,12月5日,越南计划投资部发布声明称,越南总理范明政当日会见到访的英伟达总裁黄仁勋。英伟达同越南政府签署协议,将在该国建设AI研发中心。

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  英伟达、台积电最新

  据路透社报道,多位知情人士称,台积电正与英伟达洽谈,讨论在台积电位于美国亚利桑那州的新工厂生产英伟达的Blackwell 人工智能 芯片。知情人士称,台积电正在为明年初投入生产做准备。对此,台积电和英伟达拒绝发表评论。

  Blackwell是英伟达今年3月发布的 AI芯片 。英伟达表示,生成式AI和加速计算领域的顾客对其Blackwell芯片的切实需求很高,目前已经僧多粥少。据了解,在为聊天 机器人 提供答案等任务中,Blackwell芯片的速度最高要快30倍,同时功耗降低了25倍。

  知情人士称,上述协议一旦敲定,将为台积电亚利桑那州工厂争取到另外一个客户,该工厂计划于明年开始批量生产。目前,苹果和AMD是台积电亚利桑那州新工厂的现有客户。

  报道提到,尽管台积电计划在亚利桑那州生产英伟达Blackwell芯片的前端工艺,但这些芯片仍需要运回中国台湾地区进行封装。这是因为亚利桑那州的设施目前不具备芯片上晶圆基板(CoWoS)封装能力,这是Blackwell芯片所务必的关键技术。台积电所有的CoWoS封装产能目前都聚焦在中国台湾地区。

  台积电是全球最大的合约芯片制造商,如今正投资数百亿美元在美国凤凰城建造三座工厂。英伟达目前正在全力生产Blackwell芯片,且在努力扩大明年的产能,但仍将僧多粥少。

  研究公司Creative Strategies的总裁兼首席分析师Ben Bajarin表示:“与之前的芯片相比,Blackwell采用了更顶尖的封装技术,这就增加了一个难题。”Bajarin预计,整个2025年英伟达的Blackwell芯片都将处于僧多粥少的格局。

  英伟达是 人工智能 热潮的主要受益者,今年以来,该公司的股票价格已经上涨近2倍,总市值超过3.5万亿美元,为全球市值第贰高的上市公司,仅比位列第壹的苹果公司低1000亿美元。

  目前,英伟达的下一代旗舰 AI芯片 Blackwell正在积极交付中。第叁季度,包含微软、甲骨文和OpenAI在内的很多终端客户已经开始接收该公司的下一代 人工智能 芯片Blackwell。英伟达开创人兼总裁黄仁勋近日表示,Blackwell已“全面投入生产”。

  另外两大传言

  目前,DigiTimes报道称,马斯克旗下的AI草创公司xAI,已向英伟达订购了价值10.8亿美元的GB200 AI服务器,并获得了优先交付权。预计英伟达将于2025年1月开始交付这些服务器,由 富士康 代工生产。

  报道称,马斯克直接联系了英伟达总裁黄仁勋,讨论了xAI的GB200服务器订单事宜。优先获得英伟达的AI服务器有助于xAI更好地实现其目标。

  黄仁勋和马斯克之间一直有良好的关系。黄仁勋曾屡次公开赞赏 特斯拉 ,表示“ 特斯拉 在自动驾驶汽车方面遥遥领先。但总有一天,每一辆车都务必具备自动驾驶能力,这更安全、更方便,也更有趣。”

  上个月,有消息称马斯克正在与英伟达讨论对xAI的潜在投资。当时,黄仁勋拒绝评论相关传言,但认可了xAI团队的辛勤工作。

  今年11月下旬,xAI在完成50亿美元的融资后,估值达到约500亿美元,在六个月内估值几乎翻了一倍。据知情人士透露,最新一轮的投资者包含卡塔尔投资局、Valor Equity Partners、红杉资本和Andreessen Horowitz。最近,还有消息称,马斯克旗下xAI公司计划最早于12月推出其旗下Grok聊天 机器人 的独立应用程序,与OpenAI竞争。

  目前,还有消息称,SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4。《韩国经济新闻》报道称,传言韩国 存储芯片 大厂SK海力士应重要客户的要求,将于2025年下半年以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。

  报道称,知情人士透露,SK海力士已决定与台积电合作,最快明年3月就会发布一款采用台积电3nm制程生产的条件裸片(base die)的垂直堆叠HBM4原型,而主要出货的顾客是英伟达。

  根据现有的消息来看,SK海力士会将其HBM4的条件裸片交由台积电3nm制程制造,有望相比之前的传言的5nm制程造成20%~30%的提升。而三星的HBM4的条件裸片此前传言将会采用4nm制程制造,这也意味着SK海力士的HBM4可能将会比三星更具优势。

  有业内人士近日爆料称,SK海力士之所以改为采用台积电3nm制程来制造HBM4基础裸片,是为了应对三星以4nm来生产HBM4基础裸片的声明。结果,三星现在也考虑以3nm生产HBM4基础裸片,甚至可能选用台积电的3nm制程。

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